Некоторые Методы Увеличения Точности Атомно-Абсорбционных Определений Высоких Содержаний Железа В Рудах

Тезисы VII конференции "Аналитика Сибири и Дальнего Востока - 2004" »
Стендовые доклады » Секция I. Химические и физико-химические методы » ...

Новые материалы типа (А^IIIВ^V)_x(A^IIB^VI)_1-x в полупроводниковом анализе токсичных газов

И.А. Кировская, Л.В. Новгородцева, Е.Г. Шубенкова, С.С. Лещинский, О.Т. Тимошенко, Н.Т. Филатова

Омский государственный технический университет

Возрастающий уровень требований к эффективности контроля окружающей среды, сертификации продуктов питания и потребительских товаров, необходимость в быстром обнаружении взрывчатых веществ и наркотических препаратов ставит перед аналитиками задачу разработки методов оценки обобщенных качественных и количественных показателей анализируемых объектов, обычно представляющих собой сложные системы из большого числа компонентов [1]. Здесь весьма перспективным является метод оперативной диагностики и контроля, базирующийся на системе полупроводниковых сенсоров-датчиков [2]. Создание последних предусматривает получение новых материалов, изучение их адсорбционно-зарядовой чувствительности к детектируемым частицам, кинетических особенностей формирования соответствующих сенсорных откликов.

По сравнению с достаточно хорошо изученными оксидами, особого внимания заслуживают пленки и пленочные структуры на основе соединений А^IIIВ^V, А^IIВ^VI, представители которых уже зарекомендовали себя в качестве чувствительных элементов газовых сенсоров [2]. В работе анализируются результаты получения и исследования в указанном плане новых полупроводниковых систем InSb-ZnTe, GaSb-ZnTe, GaSb-CdTe, InSb-CdS, InP-CdS при одновременном расширении арсенала тестовых адсорбатов. В качестве таковых были взяты кислород, оксид и диоксид углерода, диоксид азота, аммиак и др., молекулы которых отличаются значениями донорных и акцепторных чисел, дипольного момента и общей поляризуемостью.

Тонкие пленки получали термическим напылением в вакууме, адсорбционные измерения осуществляли методом пьезокварцевого микровзвешивания [2] в интервалах температур 253-393 К и давлений 1-11 Па.

Величины адсорбции изученных газов составляют 10^-3-10^-5 моль/м². На основе кривых температурной зависимости адсорбции a_р = f (Т), термодинамических и кинетических характеристик установлены области обратимой химической адсорбции, т.е. области воспроизводимой работы адсорбентов как первичных преобразователей сенсоров-датчиков. С помощью построенных диаграмм состояния «величина адсорбции – состав» удалось выявить адсорбенты, наиболее избирательно чувствительные по отношению к определенному газу. Так, по отношению к аммиаку ими оказались твердые растворы (InSb)_0.95 (ZnTe)_0,05 и (GaSb)_0,95 (ZnTe)_0,05, к диоксиду углерода –InP, к диоксиду азота - InSb, к кислороду – CdS. Проведена также работа по обеспечению одновременного контроля формы импульса адсорбата и сигнала сенсора-датчика.

Каттрал Р.В. Химические сенсоры. М.: Научный мир, 2000. -144 с.

Кировская И.А. Поверхностные явления. Омск: ОмГТУ, 2001.-175 с.

Новые материалы типа (АIIIВV)x(AIIBVI)1-x в полупроводниковом анализе токсичных газов

Новые материалы типа (А^IIIВ^V)_x(A^IIB^VI)_1-x в полупроводниковом анализе токсичных газов