Российский химико-аналитический портал  химический анализ и аналитическая химия в фокусе внимания ::: портал химиков-аналитиков ::: выбор профессионалов  
карта портала ::: расширенный поиск              
 


ANCHEM.RU » Форумы » 1. Аналитический форум ...
  1. Аналитический форум | Список форумов | Войти в систему | Регистрация | Помощь | Последние темы | Поиск

Форум химиков-аналитиков, аналитическая химия и химический анализ.

академический вопрос по п/п >>>

  Ответов в этой теме: 3

[ Ответ на тему ]


Автор Тема: академический вопрос по п/п
fisik
Пользователь
Ранг: 2

01.04.2009 // 10:12:00     
Чем можно обосновать существенно более высокий выход однозарядных отрицательных ионов GaO- по отношению к NO-, PO-, AsO-, SbO- из полупроводников GaN, GaP, GaAs, GaSb соответственно, легированых кислородом.
Эмиссия обусловлена бомбардировкой ионным пучком.

Энергией связи оксидов? Чем меньше, тем вероятнее или наоборот?

ЗЫ извиняюсь, если обознался веткой форума.
ANCHEM.RU
Администрация
Ранг: 246
jartsev
Пользователь
Ранг: 75


01.04.2009 // 12:14:08     
Как говорится бог создал объём, а дъявол - поверхность.
В общем случае да, чем меньше энергия связи, тем вероятнее испарение. Но вся фишка в том что на поверхности могут образовываться такие конструкции, какие в никаком сне не привидятся, а это может качественно влиять на наблюдаемые явления.
Форумом ессно ошиблись. Сам я дисертацию защитил на свойствах поверхности CdHgTe, и заявляю вам отвественно, что "там" происходит никто не знает до сих пор, при всех успехах физики полупроводников. Так же не советую копаться в научных статьях, независимо от уровня журнала. Учёные строят модели при диком спектре всевозможных допущений и условностей. Если вы пишите дипломную работу, подтягивайте за уши теорию к эксперименту, защищайтесь и бегите от этой тематики прочь.
pupyshev
VIP Member
Ранг: 514


01.04.2009 // 12:15:26     
Редактировано 1 раз(а)

Эффективность образования отрицательных ионов типа МО- определяется энергией сродства к электрону для исходной частицы МО и концентрацией МО в системе. Последнее зависит от энергии связи М-О в частице. Чем больше энергия связи, тем больше образуется МО, тем больше вероятность образования МО-. Чем больше энергия сродства к электрону - тем больше вероятность образования МО-.
Если полный химический состав системы известен и можно оценить уровень температуры в точке ионной бомбардировки, то можно рассчитать концентрации частиц МО и даже некоторых ионов МО-.
(Pupyshev A.A. Surikov V.T. Application of negative ions in ICP-MS // Spectrochim Acta. Part B. 2004. P. 1021-1031)
fisik
Пользователь
Ранг: 2


01.04.2009 // 15:29:16     
pupyshev, спасибо. Зароюсь в справочники и попробую найти зависимость.

jartsev, угу, поверхность - ад сущий. Но от этого становится только интереснее ее ковырять со всех возможных сторон

  Ответов в этой теме: 3

Ответ на тему


ААС, ИСП-АЭС, ИСП-МС - прямые поставки в 2022 году

ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ ANCHEM.RU:      [ Все новости ]


ЖУРНАЛ ЛАБОРАТОРИИ ЛИТЕРАТУРА ОБОРУДОВАНИЕ РАБОТА КАЛЕНДАРЬ ФОРУМ

Copyright © 2002-2022
«Аналитика-Мир профессионалов»

Размещение рекламы / Контакты