Российский химико-аналитический портал  химический анализ и аналитическая химия в фокусе внимания ::: портал химиков-аналитиков ::: выбор профессионалов  
карта портала ::: расширенный поиск              
 



ANCHEM.RU » Форумы » 1. Аналитический форум ...
  1. Аналитический форум | Список форумов | Войти в систему | Регистрация | Помощь | Последние темы | Поиск

Форум химиков-аналитиков, аналитическая химия и химический анализ.

Дифракционные методы. Реферат патента >>>

  Ответов в этой теме: 0

[ Ответ на тему ]


Автор Тема: Дифракционные методы. Реферат патента
Sungreenru
Пользователь
Ранг: 2

06.03.2015 // 17:41:16     
Редактировано 1 раз(а)

Добрый день!

Нужна консультация специалистов по дифракционным методам исследований. Пытаюсь постичь содержание реферата американского патента. С английского на русский прекрасно переводится, но я не уверена, что смыл до конца понимаю правильно. Дело в том, что у меня нет опыта работы с дифракционными методами. Пожалуйста, скажите, верна ли моя интерпретация прочитанного.

Патент US20090153842 A1

Оригинальный текст
An optical measurement system and wafer processing tool for correcting systematic errors in which a first diffraction spectrum is measured from a standard substrate including a layer having a known refractive index and a known extinction coefficient by exposing the standard substrate to a spectrum of electromagnetic energy. A tool-perfect diffraction spectrum is calculated for the standard substrate. A hardware systematic error is calculated by comparing the measured diffraction spectrum to the calculated tool-perfect diffraction spectrum. A second diffraction spectrum from a workpiece is measured by exposing the workpiece to the spectrum of electromagnetic energy, and the measured second diffraction spectrum is corrected based on the calculated hardware systematic error to obtain a corrected diffraction spectrum.

Перевод:
Оптическая измерительная система и инструмент для обработки полупроводниковых пластин для коррекции систематических ошибок, в которой производится измерение первого спектра дифракции для стандартной подложки , содержащий слой с известным коэффициентом преломления и известным коэффициентом поглощения, путем воздействия на стандартную подложку спектром электромагнитного излучения. Для стандартной подложки производится расчет идеального спектра дифракции. Систематическая ошибка, вносимая оборудованием, вычисляется путем сравнения измеренного дифракционного спектра с расчетным идеальным дифракционным спектром. Производится измерение второго дифракционного спектра для рабочего образца путем воздействия на рабочий образец спектром электромагнитного излучения, а полученный второй дифракционный спектр корректируется на величину рассчитанной систематической ошибки оборудования для получения исправленного дифракционного спектра

Как я понимаю, что там происходит.
Задача состоит из экспериментальной и теоретической части. Берется стандартный образец с известным показателем преломления и коэффициентом поглощения. Его кладут в прибор. Снимают спектр. Это экспериментальная часть. Для этого же образца рассчитывается (моделируется) теоретический спектр. Потом эти спектры сравниваются. Разница объявляется систематической ошибкой оборудования. Ошибка запоминается и используется в дальнейшем для коррекции спектров исследуемых рабочих образцов. Все так?

"wafer processing tool" - это что такое?

  Ответов в этой теме: 0

Ответ на тему



ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ ANCHEM.RU:      [ Все новости ]

ЖУРНАЛ ЛАБОРАТОРИИ ЛИТЕРАТУРА ОБОРУДОВАНИЕ РАБОТА КАЛЕНДАРЬ ФОРУМ

Copyright © 2002-2009
«Аналитика-Мир профессионалов»

Размещение рекламы / Контакты