| Российский химико-аналитический
      портал   | 
    химический анализ и аналитическая химия в фокусе внимания ::: портал химиков-аналитиков ::: выбор профессионалов | 
![]()  | 
    
       | 
    
| ANCHEM.RU » Форумы » 1. Аналитический форум ... | 
![]()  | 
    
Дифракционные методы. Реферат патента >>>
  | 
    ![]()  | 
  
| Автор | Тема: Дифракционные методы. Реферат патента | 
| 
  Sungreenru Пользователь Ранг: 2  | 
  
   Редактировано 1 раз(а) Добрый день! Нужна консультация специалистов по дифракционным методам исследований. Пытаюсь постичь содержание реферата американского патента. С английского на русский прекрасно переводится, но я не уверена, что смыл до конца понимаю правильно. Дело в том, что у меня нет опыта работы с дифракционными методами. Пожалуйста, скажите, верна ли моя интерпретация прочитанного. Патент US20090153842 A1 Оригинальный текст An optical measurement system and wafer processing tool for correcting systematic errors in which a first diffraction spectrum is measured from a standard substrate including a layer having a known refractive index and a known extinction coefficient by exposing the standard substrate to a spectrum of electromagnetic energy. A tool-perfect diffraction spectrum is calculated for the standard substrate. A hardware systematic error is calculated by comparing the measured diffraction spectrum to the calculated tool-perfect diffraction spectrum. A second diffraction spectrum from a workpiece is measured by exposing the workpiece to the spectrum of electromagnetic energy, and the measured second diffraction spectrum is corrected based on the calculated hardware systematic error to obtain a corrected diffraction spectrum. Перевод: Оптическая измерительная система и инструмент для обработки полупроводниковых пластин для коррекции систематических ошибок, в которой производится измерение первого спектра дифракции для стандартной подложки , содержащий слой с известным коэффициентом преломления и известным коэффициентом поглощения, путем воздействия на стандартную подложку спектром электромагнитного излучения. Для стандартной подложки производится расчет идеального спектра дифракции. Систематическая ошибка, вносимая оборудованием, вычисляется путем сравнения измеренного дифракционного спектра с расчетным идеальным дифракционным спектром. Производится измерение второго дифракционного спектра для рабочего образца путем воздействия на рабочий образец спектром электромагнитного излучения, а полученный второй дифракционный спектр корректируется на величину рассчитанной систематической ошибки оборудования для получения исправленного дифракционного спектра Как я понимаю, что там происходит. Задача состоит из экспериментальной и теоретической части. Берется стандартный образец с известным показателем преломления и коэффициентом поглощения. Его кладут в прибор. Снимают спектр. Это экспериментальная часть. Для этого же образца рассчитывается (моделируется) теоретический спектр. Потом эти спектры сравниваются. Разница объявляется систематической ошибкой оборудования. Ошибка запоминается и используется в дальнейшем для коррекции спектров исследуемых рабочих образцов. Все так? "wafer processing tool" - это что такое?  | 
|   | 
||
| 
   Ответов в этой теме: 0  | 
  ||
| ЖУРНАЛ | ЛАБОРАТОРИИ | ЛИТЕРАТУРА | ОБОРУДОВАНИЕ | РАБОТА | КАЛЕНДАРЬ | ФОРУМ | 
| Copyright © 2002-2022 «Аналитика-Мир профессионалов»  | 
Размещение рекламы / Контакты  |